IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

變頻器所用IGBT模塊，大功率的變頻器一般為三塊獨(dú)立模塊，每個(gè)模塊包括一個(gè)上橋一個(gè)下橋，小功率變頻器則使用一體化7合一的模塊，即三單元整流、三單元逆變和一單元制動(dòng)，并自帶模塊溫度自檢單元。

單獨(dú)模塊的測量比較簡單，以下以七合一模塊的測量為例，首先認(rèn)識一下模塊各引腳的定義。

靜態(tài)測量使用指針萬用表，測量方法和原理同普通二極管。

首先測量整流模塊上橋，將萬用表調(diào)到電阻檔，黑表筆接整流輸出P，紅表筆依次接R、S、T，此時(shí)正常的狀態(tài)應(yīng)該是截止?fàn)顟B(tài)。再將黑表筆接R、S、T，紅表筆接P，此時(shí)顯示狀態(tài)應(yīng)為導(dǎo)通狀態(tài)。原理如下圖：

然后測量整流模塊下橋， 黑表筆接整流輸出N，紅表筆依次接R、S、T，此時(shí)正常的狀態(tài)應(yīng)該是導(dǎo)通狀態(tài)。再將黑表筆接R、S、T，紅表筆接P，此時(shí)顯示狀態(tài)應(yīng)為截止?fàn)顟B(tài)。

接下來測量IGBT的六個(gè)單元二極管是否正常，和剛才測量的方法類似，只不過測量的點(diǎn)是逆變的P和N，以及U、V、W三個(gè)輸出點(diǎn)。

逆變測量的時(shí)候還需要觸發(fā)IGBT的G極（如上圖的G1，G2，G1為上橋驅(qū)動(dòng)，G2為下橋驅(qū)動(dòng)），看IGBT的開關(guān)功能是否正常，以測量G1為例，方法是黑表筆接P1，紅表筆接E1，然后給G1一個(gè)正向電壓，如果萬用表顯示導(dǎo)通，說明IGBT開關(guān)功能正常。